2023年11月8-10日，第四屆亞太碳化硅及相關材料國際會議(APCSCRM)在中國北京郎麗茲西山花園酒店成功召開，共吸引了800余位國內外專家學者和企業代表、近400家企業的積極參與。

本屆會議共邀請來自德國、法國、日本、新加坡、中國以及中國臺灣和香港地區等五十余位行業頂尖專家、企業家，共同分享寬禁帶半導體技術最新研究進展，交換產業前瞻性觀點，展示企業先進成果，促進亞太地區寬禁帶半導體領域產學研用的相互合作和交流，推動寬禁帶半導體材料與器件的學術研究、技術進步和產業高質量發展！

飛锃半導體創始人兼首席執行官CEO周永昌先生受邀參與演講，主題為《碳化硅電力電子的快速商業化 -啟動新時代》，與大家分享當前SiC市場的發展情況，以及中高壓應用為碳化硅器件提供了廣闊的發展前景，并展望了SiC MOSFET的未來。

周永昌先生首先在演講中表示，根據Yole Intelligence的《Power SiC 2023年度市場報告》，碳化硅市場收益預計將以35%的復合年增長率從17億美元增長到90億美元，新能源汽車、充電樁、光伏儲能、智能家電、衛星通訊、高壓輸變電、軌道交通等熱門領域都推動著功率SiC器件的增長，其中汽車和工業應用是SiC市場增長的主要驅動力。SiC器件憑借優異的特性成為新能源汽車裝置中的理想器件。SiC器件具有更優的開關性能，更低的損耗以及允許更高的運行結溫，進而可以實現更高的功率密度、可靠性和效率。

2023年上半年，新能源汽車的整體滲透率接近30%，相比與2020年的5.9%，在短短3年時間實現了5倍增長！目前市面上大多數新能源汽車中的電池和功率轉換系統都采用400V電壓架構，但是當里程超過500公里時，新能源汽車應采用800V電壓架構，以實現更短的充電時間和更高的效率。

新能源汽車從400V向800V電壓的架構邁進是主流趨勢，大功率快充已然成為業內共識，能夠滿足快充和節能的需求。到2027年，800V電壓平臺的份額將從目前的4%增加到45%。

為了順應市場需求，飛锃半導體今年積極布局和開拓汽車市場，推出了車規級碳化硅產品，如1200V 35/70/160mohm和650V 30/45/60mohm，以滿足不同電壓應用的需求。這些產品具備高可靠性和高魯棒性，以及優異的開關性能和導通特性。此外，它們還具備出色的體二極管反向恢復特性，能夠顯著降低車載充電（OBC）和DC-DC應用的系統成本。飛锃半導體車規級碳化硅產品符合車規AEC-Q101可靠性驗證，并通過960V高壓H3TRB加嚴測試。

周永昌先生還提到，中國碳化硅技術起步雖晚，但是全產業鏈正在奮力追趕。在EPI領域，國內領先廠家生產的碳化硅EPI產品質量與國際大廠相當，預計到2023年底，中國6英寸碳化硅EPI的總產能可能超過100萬片，為全球市場提供碳化硅EPI產品。

碳化硅襯底作為產業鏈的核心環節之一，國內襯底公司正在快速發展。目前，國內已大量采用國產的6英寸碳化硅襯底制造二極管，在MOSFET領域，不少廠家也開始使用國產的6英寸襯底。根據Trendforce的數據，2023年中國6英寸SiC襯底產能可能只占全球產能的5%，但到2024年，中國的總產能可能會增長到50%，達到150萬片。與此相比，國際6英寸SiC襯底制造商的產能擴張態度較為保守，而中國制造商則持有樂觀態度，渴望擴大市場份額。

相對于6英寸，預計8英寸SiC EPI晶圓的價格將很快下降，由于6英寸的技術逐步成熟，迭代到8英寸時間變短，釋放出大量8英寸的產能。使用8英寸晶圓相同技術可以節省高達35%的成本。然而，8英寸晶圓仍存在一些工藝難題，需要在設備和工藝控制方面做更多努力。

根據inSemi的數據，國際襯底制造商將在2023-2024年開始生產8英寸襯底，而國內廠商將在2025-2026年開始生產，中國正在迎頭趕上，縮小與國際制造商的差距！

在碳化硅二極管領域，國內廠家的技術發展已經達到國外大廠的水平。大約在2013年，國內SiC二極管廠商就開始使用4英寸技術，飛锃半導體在2015年率先成功使用6英寸技術，實現國內該領域的技術破冰。隨著國內二極管技術成熟，越來越多的本土制造商進入市場，已經從奪取了IDM公司市場份額。

在碳化硅MOSFET領域，目前市場上有超過40家本土IDMs和SiC設計公司。在2020年，只有少量SiC廠商可以提供樣品，而飛锃半導體在2021年大規模批量生產。到2022年，更多的公司進入MOSFET市場。盡管國內的技術正在快速迎頭趕上，但與IDMs仍存在一代的差距。平面型MOSFET仍然是未來幾代產品的主流，當Rsdon,sp低于2.0時，平面型MOSFET可能達到極限，需要新的技術和結構。

飛锃半導體在今年也成功推出的第三代碳化硅MOSFET，包含多種市場主流規格，如1200V 14/18/30/40/80mΩ、750V 11/15mΩ。在產品結構上，第三代碳化硅MOSFET與上一代相比經過了進一步的技術及工藝改進，產品具備了更好的參數一致性，更低的開關損耗、以及更出色的導通特性，以滿足高可靠性和高性能的應用需求，廣泛應用于充電樁、光伏&儲能、車載OBC/DCDC/主驅等領域。

最后，周永昌先生表示，中國碳化硅市場正迎來蓬勃發展。盡管中國的SiC技術與國際大廠還存在差距，但我們正在努力迎頭趕上。國內廠家都在積極布局，未來有望在產業鏈上下游的深度協同合作下，逐步實現國產碳化硅器件在各個應用領域的替代。

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