近日，飛锃半導體自主研發的1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ車規級SiC MOSFET器件通過國內第三方可靠性認證，成功獲得AEC-Q101車規級可靠性認證，并且通過了960V高壓H3TRB加嚴測試。此次認證充分肯定了飛锃半導體SiC MOSFET器件在可靠性、穩定性等方面的優異表現，使得飛锃半導體成為國內少數SiC功率分立器件產品通過雙重考核的廠商之一。

關于AEC-Q101 可靠性實驗報告

AEC-Q101 是車規元器件重要的認證標準之一，是由汽車電子委員會（Automotive Electronics Council，簡稱AEC）制定的標準。AEC Q101是基于失效機理的分立半導體元件應力測試鑒定，該標準旨在確保汽車電子產品的可靠性和穩定性，以滿足汽車行業對高質量和高可靠性產品的需求。

這次飛锃半導體通過車規認證的SiC MOSFET器件最大耐壓等級為1200V，而AEC-Q101在H3TRB（高溫高濕反偏試驗）考核標準中耐壓通常為100V。通過HV-H3TRB（高壓高溫高濕反偏試驗）考核，則需要將1200V耐壓器件的耐壓提高到960V。這意味著對于器件的設計、制造和封裝技術提出了更為苛刻的要求。飛锃半導體車規級SiC MOSFET通過HV-H3TRB可靠性驗證，表明功率器件在極端運行環境下仍然具備出色的耐受能力和使用壽命。

在產品結構上，飛锃半導體第二代車規級SiC MOSFET延續了上一代產品的優越性能，通過工藝優化，降低了單位晶圓面積內的導通電阻，開關性能也進一步得到了優化。另外，還采用了開爾文Source封裝，避免了驅動回路和功率回路共用源極線路，器件的開關速度、抗干擾能力均得到了明顯提升，為提高開關頻率、提升系統效率功率密度提供了更多的可能性。

飛锃半導體車規級SiC MOSFET具有以下特點：

飛锃半導體針對新能源汽車OBC和車載DCDC推出了系列應用方案，助力新能源汽車提升加速度、降低系統成本、增加續航里程以及實現輕量化等。

應用方案一：6.6KW OBC

應用方案二：11KW OBC

適用于此方案的飛锃半導體產品型號推薦：

應用方案三：2~3KW 車載DCDC

適用于此方案的飛锃半導體產品型號推薦：

目前，飛锃半導體車規級SiC MOSFE已經商業化量產，與新能源汽車重點客戶的合作已取得重大突破，將逐步批量供貨。飛锃半導體也正在積極與國內下游其他車企聯動，共推國產新能源汽車轉型及SiC的國產化替代。