6月29日，由深圳市汽車(chē)電子行業(yè)協(xié)會(huì)舉辦的IAEIS 2024第十三屆國(guó)際汽車(chē)電子產(chǎn)業(yè)峰會(huì)暨2023年度汽車(chē)電子科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮在深圳隆重舉行。飛锃半導(dǎo)體的650V & 1200V SiC MOSFET憑借出色的產(chǎn)品特性和表現(xiàn)，榮獲2023汽車(chē)電子科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)——突出創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)。

 圖中左四：飛锃半導(dǎo)體銷(xiāo)售經(jīng)理 蘇陽(yáng)東

此次榮獲該獎(jiǎng)項(xiàng)，是業(yè)界對(duì)飛锃半導(dǎo)體在汽車(chē)電子領(lǐng)域?qū)嵙Φ母叨日J(rèn)可與肯定。飛锃半導(dǎo)體將繼續(xù)不斷創(chuàng)新研發(fā)，致力于用領(lǐng)先的MOSFET技術(shù)、優(yōu)異的品質(zhì)和高可靠性的封裝，提供性能出色的最新國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)MOSFET產(chǎn)品。

本屆峰會(huì)圍繞“布局全球產(chǎn)業(yè)鏈，迎高質(zhì)量發(fā)展”的主題展開(kāi)，吸引了眾多行業(yè)精英與專(zhuān)家的參與。飛锃半導(dǎo)體的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品憑借其獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，包括領(lǐng)先市場(chǎng)的MOSFET技術(shù)、卓越的性能表現(xiàn)、以及針對(duì)嚴(yán)苛車(chē)規(guī)環(huán)境設(shè)計(jì)的高可靠性封裝，成功脫穎而出。這些產(chǎn)品覆蓋市場(chǎng)主流規(guī)格從1200V 15/35/70/160mΩ至650V 30/45/60mΩ等，有效滿(mǎn)足了不同電壓等級(jí)的應(yīng)用需求，尤其在車(chē)載充電（OBC）、DC-DC轉(zhuǎn)換等關(guān)鍵汽車(chē)電子系統(tǒng)中展現(xiàn)了顯著的成本效益和性能提升。

特別值得關(guān)注的是，飛锃半導(dǎo)體的650V & 1200VSiC MOSFET產(chǎn)品已順利通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證和高標(biāo)準(zhǔn)的HV-H3TRB可靠性驗(yàn)證，證明了其在極端條件下的卓越耐用性和穩(wěn)定性，這標(biāo)志著公司在材料、設(shè)計(jì)及封裝技術(shù)方面達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。此外，第二代產(chǎn)品通過(guò)工藝優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)通電阻的降低和開(kāi)關(guān)性能的進(jìn)一步提升，采用的開(kāi)爾文Source封裝設(shè)計(jì)更是極大增強(qiáng)了器件的開(kāi)關(guān)速度和抗干擾能力，為推動(dòng)汽車(chē)電子技術(shù)革新和系統(tǒng)能效升級(jí)開(kāi)辟了新的路徑。

汽車(chē)電子科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)作為中國(guó)汽車(chē)電子領(lǐng)域的權(quán)威獎(jiǎng)項(xiàng)，對(duì)促進(jìn)科技成果轉(zhuǎn)化、激發(fā)行業(yè)創(chuàng)新活力具有重要意義。飛锃半導(dǎo)體此番獲獎(jiǎng)，不僅是對(duì)其技術(shù)創(chuàng)新能力的表彰，也是對(duì)企業(yè)持續(xù)投入研發(fā)、致力于提供高性能、高可靠性的國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)MOSFET解決方案的肯定。

飛锃半導(dǎo)體作為華大半導(dǎo)體集團(tuán)碳化硅生態(tài)鏈中的功率半導(dǎo)體公司，將繼續(xù)秉持創(chuàng)新精神，深化技術(shù)研究與產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，攜手產(chǎn)業(yè)鏈伙伴共同推進(jìn)汽車(chē)電子行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展，為實(shí)現(xiàn)更智能、更綠色的出行貢獻(xiàn)力量。