2024年12月12日“2024行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮在深圳圓滿舉辦，飛锃半導(dǎo)體憑借其在碳化硅（SiC）器件設(shè)計(jì)領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)，再次榮膺“中國(guó)SiC器件設(shè)計(jì)十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)。這是飛锃半導(dǎo)體連續(xù)第三年獲此殊榮，彰顯了公司在第三代半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和持續(xù)創(chuàng)新能力。

圖中左五：飛锃半導(dǎo)體銷售總監(jiān) 王軍濤

技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，引領(lǐng)行業(yè)變革

自成立以來(lái)，飛锃半導(dǎo)體始終秉持“創(chuàng)芯技術(shù)引領(lǐng)綠色未來(lái)”的核心理念，致力于SiC器件的研發(fā)與制造。面對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)，飛锃半導(dǎo)體憑借深厚的技術(shù)積累與前瞻性的市場(chǎng)洞察，不斷突破技術(shù)瓶頸，推出了一系列具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SiC器件產(chǎn)品。這些產(chǎn)品憑借出色的性能與穩(wěn)定性，在新能源汽車、主驅(qū)OBC、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)控制等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用，為客戶提供了高效、可靠的解決方案。

在SiC器件設(shè)計(jì)領(lǐng)域，飛锃半導(dǎo)體始終走在行業(yè)前列。優(yōu)化SiC MOSFET柵氧化層界面性能，降低界面缺陷的影響，并通過(guò)退火處理減少生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的陷阱。這些技術(shù)改進(jìn)顯著提升了產(chǎn)品的可靠性和性能指標(biāo)，使得飛锃半導(dǎo)體的產(chǎn)品在市場(chǎng)上具備了更強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

深耕應(yīng)用場(chǎng)景，拓展市場(chǎng)邊界

隨著新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)高性能功率器件的需求日益增長(zhǎng)。飛锃半導(dǎo)體積極應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求變化，深入挖掘應(yīng)用場(chǎng)景，為客戶提供定制化的解決方案。例如，在電動(dòng)車行業(yè)中，針對(duì)400V和800V平臺(tái)的不同需求，飛锃半導(dǎo)體提供了SiC主驅(qū)驅(qū)動(dòng)方案；在光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域，公司則根據(jù)不同功率等級(jí)的應(yīng)用場(chǎng)景，提供更優(yōu)的SIC產(chǎn)品，確保最佳性能匹配。

此次連續(xù)三年榮獲極光獎(jiǎng)：“中國(guó)SiC器件設(shè)計(jì)十強(qiáng)企業(yè)”，是飛锃半導(dǎo)體在SiC器件設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得的又一重要里程碑。這不僅是對(duì)公司過(guò)去努力的肯定，更是對(duì)未來(lái)發(fā)展的激勵(lì)。飛锃半導(dǎo)體將繼續(xù)秉持創(chuàng)新精神，深化技術(shù)研發(fā)，拓展市場(chǎng)應(yīng)用，為推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展貢獻(xiàn)自己的力量。