技術(shù)的進(jìn)步推動(dòng)了硅半導(dǎo)體達(dá)到其理論材料極限。 目前，基于硅的功率器件無(wú)法滿足功率電子在各種工業(yè)/商業(yè)應(yīng)用中對(duì)功率器件的不斷增長(zhǎng)的需求。 這些包括更高的阻斷電壓，開關(guān)頻率，效率和可靠性。 碳化硅（SiC），也稱為寬禁帶材料，是替代硅的理想選擇 

使用碳化硅（SiC）技術(shù)制造的功率器件可以受益于其優(yōu)越的性能。 這些特性使碳化硅器件可以在高于200^oC的溫度下運(yùn)行，與基于硅的器件相比，碳化硅器件的功率密度是硅器件的2倍，但功率損耗僅為硅器件的50％。 使用碳化硅器件的電子系統(tǒng)需要較小的系統(tǒng)尺寸，較低的系統(tǒng)成本和在高溫環(huán)境下有更高的可靠性。

碳化硅（SiC）在禁帶寬度，擊穿電場(chǎng)和導(dǎo)熱性方面明顯優(yōu)于硅和砷化硅。