2021年7月30日飛锃半導體受邀參加了2021全球第三代半導體快充產業峰會，本次峰會飛锃半導體攜最新款碳化硅二極管閃亮登場，受到各方關注。
作為第三代半導體材料，碳化硅（SiC）與硅（Si）相比，介電擊穿強度更大、飽和電子漂移速度更快且熱導率更高。因此，當用于半導體器件中時，碳化硅器件擁有高耐壓、高速開關、低導通電阻、高效率等特性，有助于降低能耗和縮小系統尺寸。碳化硅可以廣泛應用于電動汽車、逆變器、軌道交通、太陽能、風力發電、消費類電源等領域。近年來，隨著USB PD快充技術的普及和氮化鎵技術的成熟，大功率快充電源市場逐漸興起，碳化硅二極管也開始在消費類電源市場中嶄露頭角，進入了多款百瓦級大功率快充供應鏈，助力快充電源實現更高的效率和更小的體積。目前SiC功率器件已經在國內多家品牌廠商中實現了規模化應用，優勢也在行業中獲得初步認可。SiC材料的功率器件在充電模塊中的應用規模還在不斷的持續擴大。飛锃半導體推出的碳化硅二極管參與了全球業界首款碳化硅+氮化鎵快充產品的開發，使碳化硅正式在消費類電源領域實現商用。
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