飛锃半導體閃耀慕尼黑上海電子展,Gen3B碳化硅MOSFET 引領智慧能源新時代
在為期三天的科技盛宴中,2024年慕尼黑上海電子展于7月8日至10日在上海新國際博覽中心圓滿落下帷幕,此次展會不僅匯聚了全球電子行業的精英力量,更成為了展示最新科技成果、推動產業融合與升級的重要窗口。作為電子行業的年度盛事,本次展會吸引了國內外眾多優質電子企業參與,共同打造了一個從前沿設計理念到實際應用落地,橫跨產業上下游的專業展示與交流平臺。
飛锃半導體,作為中國領先的第三代半導體供應商,受邀參展并在展會上大放異彩。展位上人流絡繹不絕,公司以一系列尖端產品和技術方案吸引了大量專業觀眾的目光。重點展示了包括第三代1200V SiC MOSFET、750V SiC MOSFET及1200V高電流SiC二極管在內的產品矩陣,這些產品專為新能源汽車、充電樁、光伏儲能等前沿領域設計,凸顯了公司在智慧能源時代的技術領導力。

Gen3B碳化硅MOSFET系列,技術創新再升級
飛锃半導體推出的Gen3B碳化硅MOSFET系列成為展會焦點,相比與第二代碳化硅MOSFET,除了降低RSP和優化串擾外,還針對工業電源系統中的高功率應用進行了優化,如太陽能逆變器、ESS、和電動汽車充電樁等。

Gen3B碳化硅MOSFET系列全面覆蓋主流市場規格,包含750V 11/25/40/55mΩ,以及1200V 15/20/30/40mΩ。通過技術與工藝的雙重革新,實現了一致性更好、開關損耗更優、導通特性更為出色的產品,更加適配高可靠性和高性能應用場景,特別是在充電樁、光伏儲能系統以及電動汽車的關鍵部件如車載充電器(OBC)、DC/DC轉換器和主驅動系統中,提供更貼切客戶端使用的產品,展現出公司在滿足市場需求上的前瞻布局。

尤為值得一提的是,飛锃半導體的Gen3B系列在性能上表現出色,如“A3M015L120QANB_18V”型號在所有電流水平下均展現出最低的總損耗,相較于市場上其他同類產品具有顯著優勢。這一突破性的技術成果不僅彰顯了飛锃半導體在SiC MOSFET領域的深厚積累,更為新能源汽車、充電樁、光伏儲能等行業的快速發展提供了強有力的技術支撐。
飛锃半導體第3代SiC MOSFET的卓越性能
高性能、高可靠性、低關斷損耗
出色的開關性能和導通特性
優秀的體二極管反向恢復特性
750V MOSFET(比傳統650V電壓高100V)更適合車載OBC和儲能應用
1700V MOSFET & 2200V MOSFET 適用于1500V光伏系統和重卡汽車
為了加速國產替代進程,飛锃半導體作為華大半導體集團下碳化硅半導體公司,不僅專注于技術研發,還積極構建完善的產業鏈生態,與上下游合作伙伴緊密協作,共同推動碳化硅半導體產業的健康發展。